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　　晶界是化学气相沉积（CVD）方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。尽管目前对于单个晶界对石墨烯性质影响的研究较多，但宏观尺度上晶粒尺寸对石墨烯电学和热学性质的影响尚不清楚。其主要原因是基于传统的析出（镍基体）或表面吸附生长（铜基体）机制的CVD生长方法无法在大范围内调控石墨烯的晶粒尺寸，制备晶粒尺寸小于电子和声子平均自由程（约1微米）的小晶粒石墨烯尤为困难。

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